熱意は解るのだが、書籍としての品質に問題がある

本書の想定読者は、
「ある程度の半導体の基本知識を持っておられ」、
前書「よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み」を読んでおられる方なので要注意。

私は、
前書を読んでいない想定外の読者だが、
ＳｉＣやＧａＮの基礎知識が必要なので本書を購入した。


著者は、
読者の理解を得ることに熱意を持っているようだ。
しかし、
説明がクドかったり、
比喩がイマイチで空回りと感じる。


また、
品質に問題があり、
読むことにストレスを感じる。
例えば、

１　誤字・脱字が多数あり、
一時停車を余儀なくされる。

　・「バックグラインド」を、
Ｐ１３８のタイトルで「バックブラインド」と誤記、
Ｐ１４４では「バックグラウンド」と誤記。

　・Ｐ１５０「・・・ふたつの方法があります。
はそれぞれ共晶合金結合法と樹脂接着法です。
」
２　間違いがあり、
これも一時停車を余儀なくされる。
（溶融状態×）
　・Ｐ６９「ＳｉＣは常圧では液相が存在しません。
昇華法は・・・ＳｉＣの溶融状態を黒煙坩堝の加熱により生成し、
そこからＳｉＣを昇華させ・・・」
３　ＧａＮを論じているＰ９５で、
図にＧａＮのプロットがない無神経さ。
無神経の同類多数。

何故に、
こんな間違いや不備が多いのか。
これは著者一人の責任でもない。
編集者が無能なのか、
いないのか、
匙を投げたのか。
三番目のような気がする。


ときに詐欺的に劣悪な書籍に出会うが、
本書の内容はマトモだと思う。

しかし、
この品質の低さに少し怒りを感じた。

化合物半導体入門という私の目的には有用だったので、
評価は星３つとした。