Samsung SSD840EVOベーシックキット 120GB 2.5インチ 日本サムスン正規品 3年保証 MZ-7TE120B/IT の感想

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参照データ

タイトルSamsung SSD840EVOベーシックキット 120GB 2.5インチ 日本サムスン正規品 3年保証 MZ-7TE120B/IT
発売日2013-08-07
販売元日本サムスン
機種Not Machine Specific
JANコード4560441090429
カテゴリパソコン周辺 » SSD(ソリッドステートドライブ) » 内蔵タイプ » 120GB~

Samsung SSD840EVOベーシックキット 120GB 2.5インチ 日本サムスン正規品 3年保証 MZ-7TE120B/IT とは

超光速ドライブへようこそ。あなたのパソコンを、もっと速く!パワフルに!タフに!

   SSD世界首位を確固たるものとしたSamsungが到達した進化系、SSD840EVO。
   圧倒的なパフォーマンス、リスク回避性能、環境性能を搭載し、グローバルマーケットで鍛え抜かれた妥協なき品質を、軽量・堅牢なチタニウムカラーのボディに凝縮。

■ ターボライトテクノロジー

インターフェースの限界性能に迫るシーケンシャル書き込みで520MB/sを実現。
SSD840EVOの予備領域の一部を、SLCモードで超高速化バッファとして活用。

■ RAPIDモード

インターフェースの限界性能をはるかに上回る、シーケンシャル書き込み1,000MB/sec超の速度を実現。
添付のMagician Software Ver.4.2.1でPCのメインメモリの一部をキャッシュとして活用。

■ 普段使いに圧倒的な強さを発揮

従来比クロックスピードを33%向上させた専用コントローラ「MEX」では、定評あるランダムアクセスにさらに磨きをかけた。
小容量データを大量に読み書きするOSの起動、終了の高速化の他、パソコンの普段使いの90%以上を占める小容量データ多頻度転送にアルゴリズムを最適化。

■ アドバンスド・シグナル・プロセッシング

   1xnmクラス超微細NANDフラッシュの耐久性を担保するため、新開発MEXコントローラにアドバンスド・シグナル・プロセッシング技術を搭載。
   一新されたECCアルゴリズムと併せ、耐久性+信頼性を強化。

■ ダイナミックサーマルガード

   SSD内部に実装された温度センサーが内部温度を監視。70℃を超える異常環境になると転送速度を落とし、過酷な環境下でもSSDの熱暴走とデータ破損を阻止。

■ さらに進化した省エネ設計

   高速化と省エネ化という相反する課題を同時に解決。省エネモード時には45ミリワットとHDDの1/11もの省エネルギー化を実現。

■ わずか3ステップでデータ移行が完了

画像を拡大して見る

専用データ移行ソフトSamsung Data Migration(日本語版)がVer.2.5にパワーアップ。
新機能「カスタムクローニング」でインテリジェントに移行データを選別。

■ SSDをきめ細かくチューニング

   専用ユーティリティソフトMagician SoftwareがVer.4.2.1(要アップデート)となり、日本語に対応。
   SSDのパフォーマンス最適化から状態確認まで、Samsung SSDのポテンシャルを最大限に引き出す。

 

Samsung SSD 比較表

シリーズ
850PROシリーズ
840PROシリーズ
850EVOシリーズ
840EVOシリーズ

850PROシリーズ
840PROシリーズ
850EVOシリーズ
840EVOシリーズ
1TB
MZ-7KE1T0B/IT
-
-
-
MZ-75E1T0B/IT
-
-
MZ-7TE1T0B/IT
-
-
512GB/500GB
MZ-7KE512B/IT
-
MZ-7PD512B/IT
-
MZ-75E500B/IT
-
-
MZ-7TE500B/IT
-
-
256GB/250GB
MZ-7KE256B/IT
-
MZ-7PD256B/IT
-
-
MZ-75E250B/IT
-
-
MZ-7TE250B/IT
-
128GB/120GB
-
MZ-7KE128B/IT
-
MZ-7PD128B/IT
-
-
MZ-75E120B/IT
-
-
MZ-7TE120B/IT
インターフェース/フォームファクタ
SATA 3.0/7mm厚2.5インチHDD互換
SATA 3.0/7mm厚2.5インチHDD互換
SATA 3.0/7mm厚2.5インチHDD互換
SATA 3.0/7mm厚2.5インチHDD互換
搭載NAND
Samsung 32層 3D V-NAND
Samsung 1xnm級 Toggle DDR 2.0
Samsung 32層 3D V-NAND
Samsung 1xnm級 Toggle DDR 2.0
シーケンシャルリード/ライト[MB/s]
550/520
550/470
540/520
530/390
540/520
540/520
4KBランダムリード/ライト(QD32)[IOPS]
100,000
90,000
100,000
90,000
97,000
90,000
98,000
90,000
97,000
88,000
94,000
88,000
98,000
90,000
97,000
70,000
94,000
36,000
消費電力
動作時:4.5W
待機時:0.4W
デバイススリープモード時:2mW
動作時:5.7W
待機時:0.4W
(デバイススリープモード非対応)
動作時:4.4W
待機時:0.5W
デバイススリープモード時:2mW
(1TBモデルは4mW)
動作時:4.4W
待機時:0.4W
(デバイススリープモード非対応)
セキュリティ
AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)
TCG/Opal V.2
Encrypted Drive (IEEE1667)
AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)
AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)
TCG/Opal V.2
Encrypted Drive (IEEE1667)
AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)
TCG/Opal V.2
Encrypted Drive (IEEE1667)
保証期間
10年
5年
5年
3年
総書込みバイト量[TBW]
150
73
150
75
44
データ移行ソフトウェア添付
〇
〇
〇
〇
ドライブ管理ソフトウェア添付
〇
〇
〇
〇

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